SEMI-FUTURE S3L400R10GA7U_C20
相关结果约429条森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20,采用三电平INPC拓扑
森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好。采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
森未科技将携新能源领域最新研发产品亮相2024 SNEC国际储能展,邀您共同开启绿色能源新篇章
森未科技将携新能源领域最新研发产品惊艳亮相2024 SNEC ES+第九届国际储能展,共同开启绿色能源新篇章!森未科技自主研发的IGBT/SiC系列产品凭借高品质、高性能、高可靠性的技术优势,已在光伏储能、新能源车等领域中得到广泛应用。
发布时间 : 2025-03-03
S3L400R10GA7U_C20三电平NPC1逆变模块
本资料介绍了型号为 S3L400R10GA7U_C20 的 3-Level NPC1 逆变器模块。该模块采用 1050V 沟槽栅/场终止技术,具有低开关损耗和正温度系数 Vcesat 特性。适用于储能系统、光伏逆变器和不间断电源系统等领域。
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S3L400R10GA7U_C20 IGBT和二极管模块
S3L400R10GA7U_C20 IGBT和二极管模块的数据手册,包括最大额定值、特性值和热阻。
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森未科技模块产品列表
森未科技提供多种封装形式的模块,包括62mm、34mm、H类、D类、F类、B类等,适用于国际主流厂商的PIN TO PIN替换。
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SEMI-FUTURE模块选型表
SEMI-FUTURE提供以下参数的模块选型,VCES:650V~1700V,lc:10A~900A
产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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Topology
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S3L400R10GA7U_C20
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模块
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1050
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400
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3-Level
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市场推广资料
本资料主要介绍了某元器件公司在2024年10月的产品应用案例、产品应用位置以及产品技术路线。资料中详细列举了公司在光伏、储能、充电桩、工控、车企等不同行业的成熟产品应用和订单案例,包括商灶/感应加热、低压APF/SVG、高压变频及SVG、光伏逆变器、单晶硅电源、户用储能、PCS、集中式储能、充电桩、工控、新能源车等领域的应用案例。同时,资料还展示了产品在各个应用位置的技术路线,如IGBT芯片的电压、电流覆盖范围,以及团队的技术发展历程。
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S3L400R10GA7UB_C20三电平NPC1逆变模块
该资料详细介绍了型号为 S3L400R10GA7UB_C20 的 3-Level NPC1 逆变模块。资料涵盖了模块的最大额定值、特性值、典型输出特性、开关损耗、瞬态热阻抗、电容特性等多个方面的详细信息。
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S3L400R10GA7UB_C20 1050V 沟槽栅/场终止技术 IGBT模块
该文档详细介绍了型号为S3L400R10GA7UB_C20的IGBT模块,其主要特性包括1050V沟槽栅/场终止技术、低开关损耗以及Vcesat正温度系数。文档中包含最大额定值和特征值表格,涵盖集电极-发射极电压、集电极电流、连续直流电流、重复峰值电流、栅极-发射极电压等关键参数。此外,还提供了详细的电气特性和热特性数据,包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、开通损耗能量和关断损耗能量等动态参数。二极管部分则描述了反向恢复峰值电流、恢复电荷及反向恢复损耗等参数。文档还提供了封装尺寸、接线图以及典型输出和传输特性曲线图,适用于储能系统、光伏逆变器和不间断电源等应用领域。
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【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10HA7U_C20,采用Flow2系列封装
森未科技正式发布HA系列首款产品:S3L400R10HA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑,采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
S3L400R10HA7U_C20三电平NPC1逆变模块
该资料详细介绍了S3L400R10HA7U_C20三电平NPC1逆变器模块的特性和参数。该模块采用1050V沟槽栅/场终止技术和氮化硅AMB基板,具有低开关损耗、正温度系数Vcesat等特点,适用于储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统等领域。
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